Weitere Produktangebote AFT09MS007NT1 nach Preis ab 3.96 EUR bis 25.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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AFT09MS007NT1 | NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFT09MS007NT1 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
auf Bestellung 5899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AFT09MS007NT1 | NXP |
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFT09MS007NT1 | NXP |
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT09MS007NT1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 3.96 EUR |
| AFT09MS007NT1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 3.97 EUR |
| AFT09MS007NT1 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 14.18 EUR |
| AFT09MS007NT1 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.17 EUR |
| 10+ | 18.18 EUR |
| 25+ | 16.93 EUR |
| 100+ | 15.55 EUR |
| 250+ | 14.9 EUR |
| 500+ | 14.51 EUR |
| AFT09MS007NT1 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.61 EUR |
| 14+ | 17.05 EUR |
| 100+ | 12.55 EUR |
| AFT09MS007NT1 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.61 EUR |
| 14+ | 17.05 EUR |
| 100+ | 12.55 EUR |