Weitere Produktangebote AFT09MS007NT1 nach Preis ab 11.92 EUR bis 19.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFT09MS007NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5WPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
AFT09MS007NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
auf Bestellung 5899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
AFT09MS007NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
AFT09MS007NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
AFT09MS007NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| AFT09MS007NT1 | Hersteller : NXP |
FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
 |
AFT09MS007NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors LANDMOBILE 7W PLD1.5W |
Produkt ist nicht verfügbar |