AFT09MS015NT1 NXP Semiconductors
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Technische Details AFT09MS015NT1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD-1.5W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PLD-1.5W, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 870MHz, Power - Output: 16W, Gain: 17.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PLD-1.5W, Part Status: Active, Voltage - Rated: 40 V, Voltage - Test: 12.5 V, Current - Test: 100 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AFT09MS015NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
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AFT09MS015NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
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AFT09MS015NT1 Produktcode: 134147
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Transistoren > HF-Transistoren |
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AFT09MS015NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
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AFT09MS015NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 16W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 100 mA |
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AFT09MS015NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 16W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 100 mA |
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| AFT09MS015NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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