AFT20S015GNR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 1.5W
Gain: 17.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 132 mA
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 25+ | 40.69 EUR |
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Technische Details AFT20S015GNR1 NXP USA Inc.
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11W, Bauform - Transistor: TO-270G, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT20S015GN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote AFT20S015GNR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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AFT20S015GNR1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: TO-270G Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT20S015GN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFT20S015GNR1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: TO-270G Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT20S015GN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT20S015GNR1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB Case: TO270G-2 Open-loop gain: 17.6dB Output power: 16.2W Efficiency: 22% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Frequency: 2140MHz Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFT20S015GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFT20S015GNR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 1.5W Gain: 17.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 132 mA |
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AFT20S015GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G |
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| AFT20S015GNR1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB Case: TO270G-2 Open-loop gain: 17.6dB Output power: 16.2W Efficiency: 22% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Frequency: 2140MHz Type of transistor: N-MOSFET |
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