AFT20S015GNR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Technology: LDMOS
Gain: 17.6dB
Power - Output: 1.5W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 132 mA
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 42.96 EUR |
| 10+ | 34.64 EUR |
| 25+ | 32.57 EUR |
| 100+ | 31.98 EUR |
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Technische Details AFT20S015GNR1 NXP USA Inc.
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11W, Bauform - Transistor: TO-270G, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT20S015GN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote AFT20S015GNR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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AFT20S015GNR1 | NXP |
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: TO-270G Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT20S015GN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AFT20S015GNR1 | NXP |
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: TO-270G Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT20S015GN productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AFT20S015GNR1 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: TO-270G
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT20S015GN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: TO-270G
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT20S015GN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AFT20S015GNR1 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: TO-270G
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT20S015GN
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
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Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz
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Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: TO-270G
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT20S015GN
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)