AFT21H350W03SR6 NXP Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details AFT21H350W03SR6 NXP Semiconductors
Description: FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230S, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.11GHz, Power - Output: 63W, Gain: 16.4dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230S, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 750 mA.
Weitere Produktangebote AFT21H350W03SR6 nach Preis ab 320.51 EUR bis 320.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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AFT21H350W03SR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230S T/R |
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AFT21H350W03SR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230S T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFT21H350W03SR6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.11GHz Power - Output: 63W Gain: 16.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFT21H350W03SR6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.11GHz Power - Output: 63W Gain: 16.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA |
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