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AFT27S010NT1

AFT27S010NT1 NXP Semiconductors


785505516963207aft27s010n.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
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Technische Details AFT27S010NT1 NXP Semiconductors

Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 728MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT27S010N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Hersteller : NXP Semiconductors 785505516963207aft27s010n.pdf Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
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AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Hersteller : NXP USA Inc. AFT27S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
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AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Hersteller : NXP Semiconductors AFT27S010N-3138196.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26
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AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Hersteller : NXP AFT27S010N.pdf Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S010N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Hersteller : NXP AFT27S010N.pdf Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S010N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AFT27S010NT1 Hersteller : NXP Semiconductors AFT27S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Bulk
Package / Case: PLD-1.5W
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 728MHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
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AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Hersteller : NXP Semiconductors 785505516963207aft27s010n.pdf Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
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AFT27S010NT1 Hersteller : NXP AFT27S010N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Hersteller : NXP Semiconductors 785505516963207aft27s010n.pdf Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
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AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Hersteller : NXP USA Inc. AFT27S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
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AFT27S010NT1 Hersteller : NXP AFT27S010N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
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