AFT27S010NT1 NXP Semiconductors
auf Bestellung 33996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 22.03 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AFT27S010NT1 NXP Semiconductors
Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 728MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT27S010N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote AFT27S010NT1 nach Preis ab 11.29 EUR bis 33.36 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
auf Bestellung 1725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 1.26W Gain: 21.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 90 mA |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26 |
auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz Betriebsfrequenz, min.: 728MHz euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT27S010N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz Betriebsfrequenz, min.: 728MHz euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT27S010N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Bulk Package / Case: PLD-1.5W Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 728MHz ~ 3.6GHz Power - Output: 1.26W Gain: 21.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 90 mA |
auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 10W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 21.8dB Efficiency: 23% Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 1.26W Gain: 21.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 90 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 10W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 21.8dB Efficiency: 23% |
Produkt ist nicht verfügbar |