AFT27S012NT1 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF Power LDMOS Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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Technische Details AFT27S012NT1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PLD-1.5W, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 728MHz ~ 2.7GHz, Power - Output: 13W, Gain: 20.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PLD-1.5W, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 90 mA.
Weitere Produktangebote AFT27S012NT1 nach Preis ab 27.6 EUR bis 27.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| AFT27S012NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Power LDMOS Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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| AFT27S012NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Power LDMOS Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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AFT27S012NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 728MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 13W Gain: 20.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 90 mA |
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AFT27S012NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V |
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