AFT27S012NT1 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF Power LDMOS Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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Technische Details AFT27S012NT1 NXP Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Case: PLD-1.5W, Kind of package: reel; tape, Frequency: 2140MHz, Kind of channel: enhanced, Output power: 13W, Electrical mounting: SMT, Open-loop gain: 20.9dB, Efficiency: 22.6%, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote AFT27S012NT1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| AFT27S012NT1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 13W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 20.9dB Efficiency: 22.6% Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AFT27S012NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 728MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 13W Gain: 20.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 90 mA |
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AFT27S012NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V |
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| AFT27S012NT1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 13W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 20.9dB Efficiency: 22.6% |
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