AFV121KHR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 960MHz ~ 1.22GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details AFV121KHR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-979A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 960MHz ~ 1.22GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 19.6dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Voltage - Rated: 112 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote AFV121KHR5 nach Preis ab 1241.85 EUR bis 1317.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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AFV121KHR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 960MHz ~ 1.22GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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AFV121KHR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 112V 5-Pin NI-1230 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| AFV121KHR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |