AG011FGH7FRATCB ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG011FGH7FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.005 ohm, DFN3333T8LSAB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN3333T8LSAB
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.25 EUR |
| 53+ | 4.39 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.75 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
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Technische Details AG011FGH7FRATCB ROHM
Description: ROHM - AG011FGH7FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.005 ohm, DFN3333T8LSAB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 62W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DFN3333T8LSAB, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm.