AG052FPS4FRATCB ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.21 EUR |
| 10+ | 2.7 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 3000+ | 1.33 EUR |
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Technische Details AG052FPS4FRATCB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Weitere Produktangebote AG052FPS4FRATCB nach Preis ab 1.57 EUR bis 5.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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AG052FPS4FRATCB | Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, POPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AG052FPS4FRATCB | ROHM |
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AG052FPS4FRATCB | ROHM |
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 78 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AG052FPS4FRATCB |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: NCH 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.49 EUR |
| 10+ | 2.88 EUR |
| 50+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 1.96 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| AG052FPS4FRATCB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.75 EUR |
| 68+ | 3.46 EUR |
| AG052FPS4FRATCB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)