AG085FGD3HRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG085FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
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Technische Details AG085FGD3HRBTL ROHM
Description: ROHM - AG085FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.
Weitere Produktangebote AG085FGD3HRBTL nach Preis ab 1.65 EUR bis 5.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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AG085FGD3HRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AG085FGD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG085FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AG085FGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AG085FGD3HRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.21 EUR |
| 10+ | 3.37 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 1000+ | 1.75 EUR |
| 2500+ | 1.65 EUR |
| AG085FGD3HRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG085FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: ROHM - AG085FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.8 EUR |
| 64+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.55 EUR |
| AG085FGD3HRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 4.93 EUR |