Technische Details AG090FLD3HRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG090FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm.
Weitere Produktangebote AG090FLD3HRBTL nach Preis ab 1.8 EUR bis 11.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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AG090FLD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AG090FLD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG090FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AG090FLD3HRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 3.27 EUR |
| 50+ | 2.49 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| AG090FLD3HRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG090FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
Description: ROHM - AG090FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.38 EUR |
| 39+ | 6.06 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| 500+ | 2.4 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |