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AG092FLD3HRBTL ROHM


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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG092FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Technische Details AG092FLD3HRBTL ROHM

Description: ROHM - AG092FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 53W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AG092FLD3HRBTL AG092FLD3HRBTL ROHM Semiconductor ag092fld3hrbtl-e.pdf MOSFETs MOSFETs, Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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AG092FLD3HRBTL AG092FLD3HRBTL Rohm Semiconductor ag092fld3hrbtl-e.pdf Description: NCH 60V 40A, TO-252 (DPAK), POWE
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Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
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