AG096FPD3HRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG096FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.71 EUR |
| 101+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
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Technische Details AG096FPD3HRBTL ROHM
Description: ROHM - AG096FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 76W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm.
Weitere Produktangebote AG096FPD3HRBTL nach Preis ab 0.94 EUR bis 6.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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AG096FPD3HRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AG096FPD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG096FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 76W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm |
auf Bestellung 2477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AG096FPD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AG096FPD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AG096FPD3HRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.57 EUR |
| 10+ | 2.93 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| 2500+ | 1.37 EUR |
| AG096FPD3HRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG096FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
Description: ROHM - AG096FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.2 EUR |
| 63+ | 3.71 EUR |
| 101+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| AG096FPD3HRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 185+ | 0.94 EUR |
| AG096FPD3HRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 92+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |

