Produkte > ROHM > AG142FGS4FRATCB
AG142FGS4FRATCB

AG142FGS4FRATCB ROHM

4628396.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG142FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0045 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.39 EUR
104+2.06 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 100 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details AG142FGS4FRATCB ROHM

Description: ROHM - AG142FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0045 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm.

Weitere Produktangebote AG142FGS4FRATCB nach Preis ab 1.65 EUR bis 5.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AG142FGS4FRATCB AG142FGS4FRATCB Rohm Semiconductor datasheet?p=AG142FGS4FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 408µA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.03 EUR
50+2.3 EUR
100+2.06 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AG142FGS4FRATCB AG142FGS4FRATCB ROHM 4628396.pdf Description: ROHM - AG142FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0045 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
69+3.39 EUR
104+2.06 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AG142FGS4FRATCB datasheet?p=AG142FGS4FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
AG142FGS4FRATCB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 408µA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.71 EUR
10+3.03 EUR
50+2.3 EUR
100+2.06 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AG142FGS4FRATCB 4628396.pdf
AG142FGS4FRATCB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG142FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0045 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.68 EUR
69+3.39 EUR
104+2.06 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH