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AG194FPD3HRBTL

AG194FPD3HRBTL ROHM Semiconductor

datasheet?p=AG194FPD3HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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Technische Details AG194FPD3HRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AG194FPD3HRBTL AG194FPD3HRBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=AG194FPD3HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
auf Bestellung 2450 Stücke:
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3+7.52 EUR
10+4.93 EUR
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AG194FPD3HRBTL AG194FPD3HRBTL ROHM datasheet?p=AG194FPD3HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 180 Stücke:
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28+9.09 EUR
42+5.64 EUR
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AG194FPD3HRBTL Rohm Semiconductor ag194fpd3hrbtle.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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