AG196FPD3HRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG196FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0168 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Technische Details AG196FPD3HRBTL ROHM
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Weitere Produktangebote AG196FPD3HRBTL nach Preis ab 1.29 EUR bis 5.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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AG196FPD3HRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFETs, Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AG196FPD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG196FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0168 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 76W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AG196FPD3HRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFETs, Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Transistor, MOSFETs, Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 2500+ | 1.29 EUR |
| AG196FPD3HRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG196FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0168 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
Description: ROHM - AG196FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0168 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
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| 45+ | 5.62 EUR |
| 70+ | 3.34 EUR |