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AG502EED3HRBTL

AG502EED3HRBTL ROHM Semiconductor

Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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Technische Details AG502EED3HRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - AG502EED3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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AG502EED3HRBTL AG502EED3HRBTL Hersteller : ROHM ag502eed3hrbtl-e.pdf Description: ROHM - AG502EED3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AG502EED3HRBTL Hersteller : Rohm Semiconductor ag502eed3hrbtle.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 78A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AG502EED3HRBTL Hersteller : Rohm Semiconductor ag502eed3hrbtle.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 78A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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