| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.33 EUR |
| 10+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 2500+ | 0.92 EUR |
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Technische Details AG508EGD3HRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 53W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Weitere Produktangebote AG508EGD3HRBTL nach Preis ab 1.09 EUR bis 4.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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AG508EGD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AG508EGD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 53W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AG508EGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 94 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AG508EGD3HRBTL |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.65 EUR |
| 109+ | 2.14 EUR |
| 138+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| AG508EGD3HRBTL |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 4.09 EUR |
| 97+ | 2.42 EUR |
| 144+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.09 EUR |
| AG508EGD3HRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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