AG508EGD3HRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.52 EUR |
| 159+ | 1.46 EUR |
| 199+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
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Technische Details AG508EGD3HRBTL ROHM
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote AG508EGD3HRBTL nach Preis ab 0.89 EUR bis 3.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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AG508EGD3HRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 P CHAN 40V |
auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AG508EGD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AG508EGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 94 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AG508EGD3HRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 P CHAN 40V
MOSFETs TO252 P CHAN 40V
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.33 EUR |
| 10+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 2500+ | 0.92 EUR |
| 5000+ | 0.89 EUR |
| AG508EGD3HRBTL |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.65 EUR |
| 109+ | 2.14 EUR |
| 138+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| AG508EGD3HRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)


