AIGB15N65H5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - AIGB15N65H5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 105W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).