AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 80A, Power dissipation: 305W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote AIGB50N65H5ATMA1 nach Preis ab 5.31 EUR bis 11.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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AIGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2 |
auf Bestellung 2244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIGB50N65H5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.77 EUR |
| 10+ | 7.89 EUR |
| 100+ | 5.69 EUR |
| 500+ | 5.31 EUR |