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Technische Details AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 80A, Power dissipation: 305W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: SMD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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AIGB50N65H5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD |
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| AIGB50N65H5ATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
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