Technische Details AIHD15N60RATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ RC, Power dissipation: 250W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of package: reel; tape, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT), Turn-on time: 26ns, Turn-off time: 319ns, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A.
Weitere Produktangebote AIHD15N60RATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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AIHD15N60RATMA1 | Infineon Technologies |
 IGBT Transistors DISCRETES |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AIHD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AIHD15N60RATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
IGBT Transistors DISCRETES
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AIHD15N60RATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
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