AIKB50N65DF5ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 305W
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Technische Details AIKB50N65DF5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: 305W, Verlustleistung: 305W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote AIKB50N65DF5ATMA1 nach Preis ab 4.27 EUR bis 13.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs DISCRETE SWITCHES |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKB50N65DF5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKB50N65DF5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
IGBTs DISCRETE SWITCHES
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.25 EUR |
| 10+ | 7 EUR |
| 100+ | 5.18 EUR |
| 500+ | 4.71 EUR |
| 1000+ | 4.27 EUR |
| AIKB50N65DF5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.82 EUR |
| 25+ | 9.33 EUR |
| 100+ | 6.16 EUR |