AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 3979 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1000+ | 5.83 EUR |
| 2000+ | 5.46 EUR |
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Technische Details AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 305W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A.
Weitere Produktangebote AIKB50N65DH5ATMA1 nach Preis ab 5.77 EUR bis 10.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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AIKB50N65DH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKB50N65DH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V |
auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKB50N65DH5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
auf Bestellung 1413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIKB50N65DH5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 305W euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 80A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
auf Bestellung 1413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKB50N65DH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP001686000 |
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