AIMZA75R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details AIMZA75R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote AIMZA75R027M1HXKSA1 nach Preis ab 12.66 EUR bis 30.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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AIMZA75R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIMZA75R027M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIMZA75R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIMZA75R027M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.8 EUR |
| 12+ | 14.93 EUR |
| 25+ | 14.29 EUR |
| 50+ | 13.61 EUR |
| 100+ | 12.66 EUR |
| AIMZA75R027M1HXKSA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AIMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 29.68 EUR |
| 10+ | 26.94 EUR |
| 50+ | 18.4 EUR |
| 100+ | 16.86 EUR |
| AIMZA75R027M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 30.42 EUR |
| 10+ | 18.71 EUR |
| 100+ | 16.95 EUR |