AIMZA75R060M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details AIMZA75R060M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote AIMZA75R060M1HXKSA1 nach Preis ab 7.68 EUR bis 18.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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AIMZA75R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIMZA75R060M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIMZA75R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIMZA75R060M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.68 EUR |
| AIMZA75R060M1HXKSA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AIMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 16.92 EUR |
| 50+ | 11.22 EUR |
| 100+ | 10.07 EUR |
| AIMZA75R060M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.03 EUR |
| 10+ | 10.85 EUR |
| 100+ | 9.2 EUR |
| 480+ | 8.82 EUR |