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AIMZH120R030M1TXKSA1

AIMZH120R030M1TXKSA1 Infineon Technologies

infineonaimzh120r030m1tdatasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details AIMZH120R030M1TXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMZH120R030M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 326W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm.

Weitere Produktangebote AIMZH120R030M1TXKSA1 nach Preis ab 7.85 EUR bis 30.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AIMZH120R030M1TXKSA1 AIMZH120R030M1TXKSA1 Infineon Technologies infineonaimzh120r030m1tdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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AIMZH120R030M1TXKSA1 AIMZH120R030M1TXKSA1 INFINEON 4127457.pdf Description: INFINEON - AIMZH120R030M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-247
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
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AIMZH120R030M1TXKSA1 AIMZH120R030M1TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIMZH120R030M1T_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
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AIMZH120R030M1TXKSA1 AIMZH120R030M1TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIMZH120R030M1T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c68ea0e964a7f Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 346 Stücke:
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AIMZH120R030M1TXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R030M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-247
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
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Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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