AIMZHN120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 46.33 EUR |
| 10+ | 32.11 EUR |
| 100+ | 31.77 EUR |
| 480+ | 30.31 EUR |
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Technische Details AIMZHN120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMZHN120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 429W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Weitere Produktangebote AIMZHN120R020M1TXKSA1 nach Preis ab 32.82 EUR bis 56.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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AIMZHN120R020M1TXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMZHN120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 429W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIMZHN120R020M1TXKSA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZHN120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
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Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: INFINEON - AIMZHN120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 56.93 EUR |
| 6+ | 44.77 EUR |
| 10+ | 33.84 EUR |
| 50+ | 33.68 EUR |
| 100+ | 33.47 EUR |
| 250+ | 32.82 EUR |