AMF12S62LB2ZXKMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 44.45 EUR |
| 10+ | 32.49 EUR |
| 25+ | 27.27 EUR |
| 100+ | 26.12 EUR |
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Technische Details AMF12S62LB2ZXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AMF12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: CIPOS Prime Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm.
Weitere Produktangebote AMF12S62LB2ZXKMA1 nach Preis ab 32.82 EUR bis 48.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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AMF12S62LB2ZXKMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - AMF12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIPtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AMF12S62LB2ZXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AMF12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
Description: INFINEON - AMF12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 48.52 EUR |
| 10+ | 39.79 EUR |
| 50+ | 37.29 EUR |
| 100+ | 32.82 EUR |