AMM12S18LB1ZXKMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 101.58 EUR |
| 10+ | 83.03 EUR |
| 25+ | 78.37 EUR |
| 100+ | 76.2 EUR |
| 176+ | 70 EUR |
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Technische Details AMM12S18LB1ZXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, Verlustleistung: 312W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: CIPOS Prime Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm.
Weitere Produktangebote AMM12S18LB1ZXKMA1 nach Preis ab 82.55 EUR bis 124.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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AMM12S18LB1ZXKMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIPtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 312W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AMM12S18LB1ZXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
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Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 124.85 EUR |
| 5+ | 105.35 EUR |
| 10+ | 87.45 EUR |
| 50+ | 82.55 EUR |