AMM12S54LB1ZXKMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 49.46 EUR |
| 10+ | 40.06 EUR |
| 25+ | 37.7 EUR |
| 100+ | 36.15 EUR |
| 176+ | 34.11 EUR |
| 528+ | 33.79 EUR |
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Technische Details AMM12S54LB1ZXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AMM12S54LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP, tariffCode: 85044095, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: CIPOS Prime Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm.
Weitere Produktangebote AMM12S54LB1ZXKMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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AMM12S54LB1ZXKMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - AMM12S54LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIPtariffCode: 85044095 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 142W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AMM12S54LB1ZXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S54LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
Description: INFINEON - AMM12S54LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
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Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)