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AO3400A

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Transistoren > MOSFET N-CH

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AO3400A AO3400A FUXINSEMI AO3400A_ds.pdf 08026a9ce7af7458f6634e46da45de75.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; RC3400A; AO3400A SOT23 FUXINSEMI TAO3400a FUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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AO3400A AO3400A JGSEMI info-tao3400a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 50mOhm; 5,8A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JGSEMI TAO3400a JGS
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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AO3400A AO3400A JSMSEMI TAO3400a_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JSMICRO TAO3400a JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AO3400A AO3400A UMW TAO3400a_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A UMW TAO3400a UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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AO3400A AO3400A ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO3400A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.7A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.12 EUR
797+0.11 EUR
903+0.094 EUR
1005+0.084 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
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AO3400A AO3400A UMW 08026a9ce7af7458f6634e46da45de75.pdf Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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AO3400A AO3400A ALPHA&OMEGA info-tao3400a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3400A TAO3400a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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AO3400A AO3400A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3400A_ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
30000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AO3400A AO3400A UMW 08026a9ce7af7458f6634e46da45de75.pdf Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
93+0.23 EUR
106+0.2 EUR
125+0.17 EUR
250+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AO3400A AO3400A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3400A_ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
auf Bestellung 117078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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AO3400A AO3400A CHIPNOBO info-tao3400a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -50°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A CHIPNOBO TAO3400a CNB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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AO3400A AO3400A_ds.pdf 08026a9ce7af7458f6634e46da45de75.pdf
AO3400A
Hersteller: FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; RC3400A; AO3400A SOT23 FUXINSEMI TAO3400a FUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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AO3400A info-tao3400a.pdf
AO3400A
Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 50mOhm; 5,8A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JGSEMI TAO3400a JGS
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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500+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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AO3400A TAO3400a_JSM_JSMICRO_0001.pdf
AO3400A
Hersteller: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JSMICRO TAO3400a JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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AO3400A TAO3400a_UMW_UMW_0001.pdf
AO3400A
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A UMW TAO3400a UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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AO3400A
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.7A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
715+0.12 EUR
797+0.11 EUR
903+0.094 EUR
1005+0.084 EUR
3000+0.08 EUR
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AO3400A
Hersteller: UMW
Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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AO3400A info-tao3400a.pdf
AO3400A
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3400A TAO3400a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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AO3400A
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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AO3400A
Hersteller: UMW
Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+0.33 EUR
93+0.23 EUR
106+0.2 EUR
125+0.17 EUR
250+0.15 EUR
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AO3400A
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
auf Bestellung 117078 Stücke:
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22+0.96 EUR
36+0.6 EUR
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500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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AO3400A
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -50°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A CHIPNOBO TAO3400a CNB
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SS14
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SS14
Hersteller: YJ/MIC/Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 40 А
UKTZED: 8541 10 00 10
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AO3401A Transistor
Produktcode: 103130
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AO3401A Transistor
Hersteller: AOS
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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100nF 16V 10% X7R 0402 (CL05B104KO5NNNC – Samsung)
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100nF 16V 10% X7R 0402 (CL05B104KO5NNNC – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Nennwert: 100 nF
Nennspannung: 16 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0402
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 53769 St.
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