AO3407 HXY MOSFET
Hersteller: HXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3407 HXY MOSFET TAO3407 HXY
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.10 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AO3407 HXY MOSFET
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote AO3407
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| AO3407 | Hersteller : ALPHA |
09+ |
auf Bestellung 192018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| AO3407 | Hersteller : ALPHA |
SOT-23 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| AO3407 | Hersteller : ALPHA |
SOT23 |
auf Bestellung 563560 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| AO3407 | Hersteller : AO |
09+ |
auf Bestellung 60018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| AO3407 | Hersteller : AOS |
|
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| AO3407 | Hersteller : KEXIN |
09+ |
auf Bestellung 201018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
 |
AO3407 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |