AO4266E ALPHA&OMEGA
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin SOIC AO4266E TAO4266e
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Technische Details AO4266E ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote AO4266E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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AO4266E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 2W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2W Gate charge: 6.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 8.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 On-state resistance: 13.5mΩ |
auf Bestellung 1752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AO4266E |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 13.5mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
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