AO4292E ALPHA&OMEGA
Hersteller: ALPHA&OMEGA
N-Channel MOSFET 100V 8A 8SOIC AO4292E TAO4292e
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Technische Details AO4292E ALPHA&OMEGA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; 2W; SO8; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 6.2A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 8nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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AO4292E | ALPHA&OMEGA |
N-Channel MOSFET 100V 8A 8SOIC AO4292E TAO4292e Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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AO4292E | ALPHA&OMEGA |
N-Channel MOSFET 100V 8A 8SOIC AO4292E TAO4292e Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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AO4292E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; 2W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.2A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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| AO4292E |
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Hersteller: ALPHA&OMEGA
N-Channel MOSFET 100V 8A 8SOIC AO4292E TAO4292e
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N-Channel MOSFET 100V 8A 8SOIC AO4292E TAO4292e
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| AO4292E |
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Hersteller: ALPHA&OMEGA
N-Channel MOSFET 100V 8A 8SOIC AO4292E TAO4292e
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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| AO4292E |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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