AOB10B65M1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 75W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Technische Details AOB10B65M1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 75W; TO263, Mounting: SMD, Case: TO263, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 10A, Pulsed collector current: 30A, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 75W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 24nC, Anzahl je Verpackung: 800 Stücke.
Weitere Produktangebote AOB10B65M1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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AOB10B65M1 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: IGBT 650V 10A TO263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AOB10B65M1 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: IGBT 650V 10A TO263 |
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| AOB10B65M1 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 75W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC |
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