AOB600A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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Technische Details AOB600A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO263, Case: TO263, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 11.5nC, On-state resistance: 0.6Ω, Drain current: 8A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 96W, Drain-source voltage: 600V, Anzahl je Verpackung: 800 Stücke.
Weitere Produktangebote AOB600A60L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| AOB600A60L | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
 N Channel Power Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| AOB600A60L | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO263 Case: TO263 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 11.5nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 96W Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AOB600A60L | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO263 |
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| AOB600A60L | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO263 Case: TO263 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 11.5nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 96W Drain-source voltage: 600V |
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