AOD2910 ALPHA&OMEGA
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 42mOhm; 31A; 53,5W; -55°C ~ 175°C; AOD2910 TAOD2910
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Technische Details AOD2910 ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N CH 100V 6.5A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 53.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 31A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote AOD2910
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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AOD2910 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AOD2910 | Alpha? Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 21,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 1190 @ 50, Qg, нКл = 7, Rds = 24 мОм, Ugs(th) = 2,15 В, Р, Вт = 53,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 360 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| AOD2910 | AOS |
MOSFET N CH 100V 6.5A TO252 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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AOD2910 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N CH 100V 6.5A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 53.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AOD2910 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.5A; 53.5W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21.5A Power dissipation: 53.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement |
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| AOD2910 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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| AOD2910 |
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Hersteller: Alpha? Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 21,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 1190 @ 50, Qg, нКл = 7, Rds = 24 мОм, Ugs(th) = 2,15 В, Р, Вт = 53,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 360 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 21,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 1190 @ 50, Qg, нКл = 7, Rds = 24 мОм, Ugs(th) = 2,15 В, Р, Вт = 53,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 360 Од. вим: шт
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| AOD2910 |
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Hersteller: AOS
MOSFET N CH 100V 6.5A TO252 Транзистори
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| AOD2910 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N CH 100V 6.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 53.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N CH 100V 6.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 53.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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| AOD2910 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.5A; 53.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.5A
Power dissipation: 53.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.5A; 53.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.5A
Power dissipation: 53.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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