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AOD2N60

AOD2N60 Alpha & Omega Semiconductor

aou2n60.pdf Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details AOD2N60 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AOD2N60 AOD2N60 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aou2n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AOD2N60 AOD2N60 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
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AOD2N60 AOD2N60 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD2N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
127+0.57 EUR
141+0.51 EUR
171+0.42 EUR
180+0.40 EUR
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Mindestbestellmenge: 67
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AOD2N60 AOD2N60 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD2N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
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AOD2N60 AOD2N60 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
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AOD2N60 AOD2N60 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor 163704681728109aod2n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AOD2N60 Hersteller : ALPHA&OMEGA AOD2N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD2N60 TAOD2n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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AOD2N60 AOD2N60
Produktcode: 73939
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