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AOD3N60

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Produktcode: 125997
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AOD3N60 AOD3N60 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD3N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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AOD3N60 AOD3N60 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
130+0.55 EUR
150+0.48 EUR
163+0.44 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 130
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AOD3N60 AOD3N60 Hersteller : ALPHA info-taod3n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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AOD3N60 AOD3N60 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD3N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.02 EUR
14+1.27 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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AOD3N60 AOD3N60 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aod3n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AOD3N60 AOD3N60 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aod3n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AOD3N60 Hersteller : AOS AOD3N60.pdf MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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