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AOD480

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Produktcode: 179461
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AOD480 AOD480 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD480.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 21W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
175+0.41 EUR
222+0.32 EUR
252+0.28 EUR
500+0.26 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 175
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AOD480 AOD480 Hersteller : ALPHA&OMEGA info-taod480.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 33mOhm; 25A; 21W; -55°C ~ 175°C; AOD480 TAOD480
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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AOD480 AOD480 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aod480.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AOD480 AOD480 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD480.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
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AOD480 AOD480 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD480.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
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