AOD6B60M1

AOD6B60M1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Power dissipation: 28W
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
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Technische Details AOD6B60M1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ, Case: TO252, Type of transistor: IGBT, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Turn-on time: 20ns, Turn-off time: 158ns, Turn-off switching energy: 0.09mJ, Turn-on switching energy: 0.12mJ, Power dissipation: 28W, Collector-emitter saturation voltage: 1.7V, Collector current: 6A, Pulsed collector current: 18A, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector-emitter voltage: 600V.

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AOD6B60M1 Hersteller : AOS Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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