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AOD7S65

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Produktcode: 184626
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AOD7S65 AOD7S65 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7S65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
auf Bestellung 2492 Stücke:
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1000+1.28 EUR
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AOD7S65 AOD7S65 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aou7s65.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AOD7S65 AOD7S65 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7S65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
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AOD7S65 AOD7S65 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD7S65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; 89W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 89W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.64Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhancement
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