AOK30B60D1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


AOK30B60D1.pdf Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOK30B60D1 THT IGBT transistors
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Technische Details AOK30B60D1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: IGBT 600V 60A 208W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 26A, Supplier Device Package: TO-247, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/58ns, Switching Energy: 1.1mJ (on), 240µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 34 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A, Power - Max: 208 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AOK30B60D1 AOK30B60D1 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor 595aok30b60d1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AOK30B60D1 AOK30B60D1 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aok30b60d1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AOK30B60D1 AOK30B60D1 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK30B60D1.pdf Description: IGBT 600V 60A 208W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 26A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/58ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 208 W
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