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AOK60B65H2AL

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AOK60B65H2AL AOK60B65H2AL ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOK60B65H2AL.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.87 EUR
25+3.47 EUR
28+3.06 EUR
90+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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AOK60B65H2AL
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
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