AON3414 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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Technische Details AON3414 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 2W; DFN3x3, Mounting: SMD, Case: DFN3x3, Power dissipation: 2W, Gate charge: 15nC, Drain-source voltage: 30V, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 17mΩ, Drain current: 8A, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AON3414 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN |
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| AON3414 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 2W; DFN3x3 Mounting: SMD Case: DFN3x3 Power dissipation: 2W Gate charge: 15nC Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 17mΩ Drain current: 8A Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| AON3414 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 2W; DFN3x3 Mounting: SMD Case: DFN3x3 Power dissipation: 2W Gate charge: 15nC Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 17mΩ Drain current: 8A Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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