AONR21307

AONR21307 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AONR21307.pdf Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V
auf Bestellung 165000 Stücke:

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Technische Details AONR21307 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AONR21307 AONR21307 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21307.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V
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AONR21307 AONR21307 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor 5698642887215205aonr21307.pdf P-Channel MOSFET
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AONR21307 AONR21307 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aonr21307.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R
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AONR21307 AONR21307 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aonr21307.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R
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AONR21307 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONR21307.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -24A; 11W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -24A
Power dissipation: 11W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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AONR21307 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONR21307.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -24A; 11W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -24A
Power dissipation: 11W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
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