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AONS66908

AONS66908 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AONS66908.pdf
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 158A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 158A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details AONS66908 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 158A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 158A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V.

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AONS66908 Alpha & Omega Semiconductor aons66908.pdf Medium Voltage MOSFETs (40V - 400V)
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105+1.67 EUR
114+1.51 EUR
115+1.46 EUR
129+1.27 EUR
250+1.17 EUR
500+0.99 EUR
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