AOT10N65 ALPHA&OMEGA
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
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Technische Details AOT10N65 ALPHA&OMEGA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 6.2A, Power dissipation: 250W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 27.7nC, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote AOT10N65
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 27.7nC Kind of channel: enhancement |
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| AOT10N65 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
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