AOT286L

AOT286L Alpha & Omega Semiconductor


aot286l.pdf Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Technische Details AOT286L Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 40 V.

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AOT286L AOT286L Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aot286l.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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AOT286L Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf AOT286L THT N channel transistors
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AOT286L AOT286L Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO220.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 40 V
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