Weitere Produktangebote AOT4N60 nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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AOT4N60 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOT4N60 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOT4N60 | Hersteller : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT4N60 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.7A Power dissipation: 104W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOT4N60 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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